商务部公告 |
| （2014年第4号） |
| 关于对原产于美国的进口太阳能级多晶硅反补贴调查最终裁定的公告 |
| 根据《中华人民共和国反补贴条例》（以下简称《反补贴条例》）的规定，2012年7月20日，商务部（以下称调查机关）发布年度第41号公告，决定对原产于美国的进口太阳能级多晶硅（以下称被调查产品）进行反补贴立案调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。 |
| 调查机关对被调查产品是否存在补贴及补贴金额、中国太阳能级多晶硅产业是否受到损害及损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行了调查。根据调查结果和《反补贴条例》第二十五条的规定，2013年9月16日，调查机关发布初裁公告，认定被调查产品存在补贴，中国太阳能级多晶硅产业受到了实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。 |
| 初步裁定后，调查机关继续对补贴和补贴金额、损害和损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行调查。现本案调查结束，根据调查结果，并依据《反补贴条例》第二十六条的规定，调查机关作出最终裁定（见附件）。现将有关事项公告如下： |
| 一、最终裁定 |
| 经过调查，调查机关最终裁定，在本案调查期内，被调查产品存在补贴，中国太阳能级多晶硅产业受到实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。 |
| 二、被调查产品范围及措施范围 |
| 本案被调查产品及实施措施产品的具体描述如下： |
| 调查和措施范围：原产于美国的进口太阳能级多晶硅。 |
| 被调查产品名称：太阳能级多晶硅。英文名称：Solar-Grade Polysilicon。 |
| 被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的，用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 |
| 被调查产品电学参数为：基磷电阻率＜300欧姆·厘米（Ω ·cm）；基硼电阻率＜2600欧姆·厘米（Ω ·cm）；碳浓度＞1.0×1016（at/cm3）；n型少数载流子寿命＜500μs；施主杂质浓度＞0.3×10-9；受主杂质浓度＞0.083×10-9 。 |
| 主要用途：主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产，是生产晶体硅光伏电池的主要原料。 |
| 该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。 |
| 三、征收反补贴税 |
| 根据《反补贴条例》的有关规定，调查机关向国务院关税税则委员会提出对原产于美国的进口太阳能级多晶硅征收反补贴税的建议。国务院关税税则委员会根据调查机关的建议作出决定，自2014年1月20日起，对原产于美国的进口太阳能级多晶硅征收反补贴税。对各公司征收的反补贴税税率如下： |
1.赫姆洛克半导体公司 2.1%（HemlockSemiconductorCorporation）2.REC太阳能级硅有限责任公司 0%（RECSolarGradeSiliconLLC）3.REC先进硅材料有限责任公司 0%（RECAdvancedSiliconMaterialsLLC）4.MEMC帕萨迪纳有限公司 0%（MEMCPasadena,Inc.）5.AEPolysiliconCorporation 2.1%6.其他美国公司（AllOthers） 2.1%
|
| 在补贴调查期内，原产于REC太阳能级硅有限责任公司的进口被调查产品从价补贴率为0.2%，属于微量补贴；原产于REC先进硅材料有限责任公司和MEMC帕萨迪纳有限公司的进口被调查产品均未获得补贴。原产于此三家公司的进口被调查产品适用的反补贴税税率为0%。 |
| 四、征收反补贴税的方法 |
| 自2014年1月20日起，进口经营者在进口被调查产品时，应向中华人民共和国海关缴纳相应的反补贴税。反补贴税以海关审定的完税价格从价计征，计算公式为：反补贴税额＝海关完税价格×反补贴税税率，进口环节增值税以海关审定的完税价格加上关税和反补贴税作为计税价格从价计征。 |
| 五、反补贴税的追溯征收 |
| 对自2013年9月20日起至2014年1月19日止，有关进口经营者依初裁公告向中华人民共和国海关所提供的临时反补贴税保证金，按终裁所确定的征收反补贴税的商品范围和反补贴税税率计征并转为反补贴税，并按相应的增值税税率计征进口环节增值税。在此期间有关进口经营者所提供的临时反补贴税保证金超出反补贴税的部分，以及由此多征的进口环节增值税部分，海关予以退还，少征部分则不再征收。 |
| 对实施临时反补贴措施决定公告之日前进口的原产于美国的进口太阳能级多晶硅不再追溯征收反补贴税。 |
| 六、征收反补贴税的期限 |
| 对原产于美国的进口太阳能级多晶硅征收反补贴税的实施期限自2014年1月20日起5年。 |
| 七、复审 |
| 在征收反补贴税期间，有关利害关系方可以根据《反补贴条例》的相关规定，向调查机关书面申请复审。 |
| 八、行政复议和行政诉讼 |
| 对本案终裁决定及征收反补贴税的决定不服的，根据《反补贴条例》第五十二条的规定，可以依法申请行政复议，也可以依法向人民法院提起诉讼。 |
| 九、本公告自2014年1月20日起执行。 |
| 附件：中华人民共和国商务部对原产于美国的进口太阳能级多晶硅反补贴调查的最终裁定 |
| 中华人民共和国商务部 |
| 2014年1月20日 |
| 附件 |
| 中华人民共和国商务部对原产于美国的进口太阳能级多晶硅反补贴调查的最终裁定 |
| 根据《中华人民共和国反补贴条例》（以下称《反补贴条例》）的规定，2012年7月20日，商务部（以下称调查机关）发布年度第41号公告，决定对原产于美国的进口太阳能级多晶硅（以下称被调查产品）进行反补贴立案调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。 |
| 调查机关对被调查产品是否存在补贴及补贴金额、中国太阳能级多晶硅产业是否受到损害及损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行了调查。根据调查结果和《反补贴条例》第二十五条的规定，2013年9月16日，调查机关发布初裁公告，认定被调查产品存在补贴，中国太阳能级多晶硅产业受到了实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。 |
| 初步裁定后，调查机关继续对补贴和补贴金额、损害和损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行调查。现本案调查结束，根据调查结果，并依据《反补贴条例》第二十六条的规定，调查机关作出最终裁定如下： |
| 一、立案前磋商 |
| 2012年7月2日，调查机关收到江苏中能硅业科技发展有限公司、江西赛维LDK光伏硅科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司和重庆大全新能源有限公司（以下简称申请人）代表国内多晶硅产业提交的反补贴调查申请，请求对原产于美国的进口被调查产品进行反补贴调查。收到申请材料后，根据《反补贴条例》第十六条的规定，2012年7月9日，调查机关就有关反补贴调查事项向美国政府发出进行磋商的邀请，并向美国驻华使馆转交了申请书的公开版本。中美两国政府代表于2012年7月17日进行了磋商。 |
| 二、调查程序 |
| （一）立案及立案通知。 |
| 1.立案。 |
| 调查机关经审查申请人提交的申请材料，认为申请人符合《反补贴条例》第十一条、第十三条和第十七条有关国内产业提出反补贴调查申请的规定。同时，申请书中包含了《反补贴条例》第十四条、第十五条规定的反补贴调查立案所要求的内容及有关证据。 |
| 在完成申请材料的审查及磋商后，根据《反补贴条例》第十六条的规定，2012年7月20日，调查机关发布商务部第41号公告，决定对原产于美国的进口被调查产品进行反补贴立案调查。 |
| 调查机关确定的补贴调查期为2011年7月1日至2012年6月30日，产业损害调查期为2008年1月1日至2012年6月30日。 |
| 2.立案通知。 |
| 2012年7月20日，调查机关发布商务部第41号公告，并向美国驻中国大使馆正式提供了该立案公告。同日，调查机关将本案立案情况通知了申请人及申请书中列明的美国生产商、出口商。 |
| 3.立案后评论意见。 |
| 调查机关发布商务部2012年第41号公告后，相关利害关系方对被调查产品范围及申请书提出了评论意见，主要意见以及初步裁定如下： |
| （1）2012年8月8日，美国REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交书面评论《关于：对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅的反倾销/反补贴调查被调查产品范围和申请书的评论》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。 |
| （2）2012年8月8日，美国赫姆洛克半导体公司向调查机关提交书面评论《对进口太阳能级多晶硅反倾销调查和反补贴调查立案公告中被调查产品范围的评论意见》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。 |
| （3）2012年8月2日，申请人向调查机关提交书面文件《请求调查机关进一步明确被调查产品范围的申请》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。 |
| 对于上述（2）中美国赫姆洛克半导体公司提出的请求澄清被调查产品技术指标问题，调查机关调查后，在评估申请人文件基础上，对被调查产品的技术指标做了进一步的细化，并在随后发放的调查问卷中明确了被调查产品的范围。 |
| 对于上述（1）中REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司提出的流化床法产品不应当包括在被调查产品范围之内的评论意见，调查机关征求了申请人等其他利害关系方的意见。 |
| 在随后的调查中，没有利害关系方就被调查产品技术指标和描述问题发表新的评论，调查机关决定在终裁中维持初裁的认定。 |
| （二）补贴及补贴金额的初步调查。 |
| 1.登记应诉。 |
| 根据公告要求，自商务部第41公告发布之日起20天的登记应诉期内，美国政府（由美国贸易代表办公室代表）、被调查产品生产商/贸易商/下游用户REC太阳能级硅有限责任公司（REC Solar Grade Silicon LLC）、REC先进硅材料有限责任公司（REC Advanced Silicon Materials LLC）、赫姆洛克半导体公司（Hemlock Semiconductor Corporation）、MEMC电子材料公司（MEMC Electronic Materials，Inc.）、美国瓦克化学公司（Wacker Chemical Corporation ）、瓦克多晶硅北美有限公司（Wacker Polysilicon North America LLC）、HOKU公司（HOKU Corporation）、常州天合光能有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司等公司向调查机关登记补贴应诉。 |
| 2.发放问卷和收取答卷。 |
| 2012年8月20日，调查机关向登记应诉的美国政府发放了反补贴调查政府问卷，向登记应诉的美国生产商和出口商发放了反补贴调查企业问卷。另外，调查机关还向申请书中列明的其他生产商和出口商发放了反补贴调查企业问卷，并将调查问卷登载在商务部网站上，任何利害关系方可在商务部网站上查阅并下载本案调查问卷。 |
| 调查机关要求美国政府和涉案公司在37天内按规定提交准确、完整的答卷。在该期间内，美国政府和有关应诉公司向调查机关申请延期递交答卷并陈述了相关理由。经审查，调查机关同意给予美国政府和申请公司适当延期。至答卷递交截止之日，调查机关收到了美国政府、美国REC太阳能级硅有限责任公司、REC先进硅材料有限责任公司、REC硅有限公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司（MEMC电子材料公司在提交答卷时名称已变更为MEMC帕萨迪纳有限公司）、美国瓦克化学公司、瓦克多晶硅北美有限公司递交的有关补贴部分问卷的答卷，以及HOKU公司递交的《关于调查期间无对中国出口的说明》。 |
| 此后，调查机关还分别要求有关应诉公司对答卷内容进行解释澄清，在规定的时间内，调查机关收到了有关应诉公司提交的补充答卷资料。 |
| 3.有关利害关系方发表的意见。 |
| 调查期间，有关利害关系方拜会调查机关或以书面文件方式对本案调查中的有关问题发表了意见。 |
| （1）美国MEMC公司中国区总经理曾宪章先生于2012年7月31日、美国MEMC公司法律政府事务部副总经理KEVIN LAPIDUS先生于2012年8月15日、REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司法律顾问苏辛女士于2013年1月10日分别拜会了调查机关（以上会见纪要见商务部公开信息查阅室）。 |
| （2）2012年11月16日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交《关于：提请召开太阳能级多晶硅反倾销/反补贴调查产品范围听证会的申请书》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。 |
| （3）2012年12月10日，申请人就上述REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司提交的材料发表了抗辩意见《对REC＜提请召开太阳能级多晶硅反倾销/反补贴调查产品范围听证会的申请书＞的评论》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。 |
| （4）2013年1月7日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司再次就申请人抗辩意见发表评论《关于：对申请人就REC公司产品范围听证会申请之评论的评论意见》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。 |
| （5）2013年1月8日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司代理人向调查机关提交《关于：太阳能级多晶硅反倾销/反补贴案调查的面谈纲要》，请求会见案件调查官员。 |
| （6）2012年12月7日，晶龙实业集团有限公司向调查机关提交《晶龙实业集团有限公司关于放缓对欧美多晶硅“双反”的诉求函》，建议调查机关控制多晶硅“双反”调查案调查节奏，放缓步伐（见商务部公开信息查阅室）。 |
| （7）2013年1月15日，中国机电产品进出口商会致函调查机关对本案表示关注（见商务部公开信息查阅室）。 |
| （8）2013年3月，西安华晶电子技术股份有限公司、常州亿晶光电科技有限公司太阳能级多晶硅下游用户致函调查机关，主张国内生产的多晶硅产品和进口流化床产品不是同类产品，请求将流化床法生产的产品从被调查产品中排除，并希望召开产品范围听证会（见商务部公开信息查阅室）。 |
| （三）产业损害及损害程度的初步调查。 |
| 1.产业损害调查期。 |
| 调查机关在立案公告中明确，本案产业损害调查期（以下称调查期）为2008年1月1日至2012年6月30日。 |
| 2.参加产业损害调查活动登记。 |
| 根据《反补贴产业损害调查规定》第十九条、第二十一条的规定，2012年7月20日，调查机关发出了《关于参加太阳能级多晶硅产品反补贴案产业损害调查活动登记的通知》（商调查函[2012]262号）。2012年8月9日，参加调查活动登记期截止， 共计14家利害关系方向调查机关提交反补贴调查活动登记申请，分别为： |
| 国外生产者/出口商7家：赫姆洛克半导体公司、瓦克多晶硅北美有限公司、美国瓦克化学公司、REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、MEMC电子材料公司、HOKU公司；国内进口商6家：无锡尚德太阳能电力有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、保定天威英利新能源有限公司、英利能源（中国）有限公司、常州天合光能有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司；利害关系方政府1家：美国贸易代表办公室。 |
| 经审查，调查机关接受了上述利害关系方的应诉登记申请。 |
| 3.成立产业损害调查组。 |
| 2012年8月15日，调查机关发出《关于成立太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查组的通知》（商调查（三处）函[2012]319号），成立了太阳能级多晶硅反补贴案产业损害调查组，负责本案的产业损害调查工作。 |
| 4.发放和收回调查问卷。 |
| 根据《反补贴条例》第二十条和《反补贴产业损害调查规定》第二十四条、第二十五条的规定，2012年8月15日，调查机关向本案利害关系方发放了《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查问卷（国内生产者调查问卷）》（商调查函[2012]315号）（以下称《国内生产者调查问卷》）、《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查问卷（国内进口商调查问卷）》（商调查函[2012]316号）（以下称《国内进口商调查问卷》）和《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查问卷（国外＜地区＞生产者/出口商调查问卷）》（商调查函[2012]317号）（以下称《国外＜地区＞生产者/出口商调查问卷》）。 |
| 2012年9月11日，MEMC电子材料公司向调查机关提交了延期递交答卷的申请；2012年9月14日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了延期递交答卷的申请。经研究，调查机关批准了上述延期申请。 |
| 在规定的答卷期限或经批准延期递交答卷的期限内，调查机关共收到4份国内生产者问卷答卷，6份国内进口商问卷答卷，6份国外（地区）生产者/出口商问卷答卷。其中，国内生产者4家：江苏中能硅业科技发展有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、江西赛维LDK光伏硅科技有限公司、大全新能源有限公司；国内进口商6家：英利能源（中国）有限公司、保定天威英利新能源有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、上海东方久信集团有限公司；国外生产者/出口商6家：赫姆洛克半导体公司、美国REC先进硅材料有限责任公司、美国REC太阳能级硅有限责任公司、美国MEMC电子材料公司、美国瓦克化学公司、瓦克多晶硅北美有限公司。 |
| 5.听取利害关系方意见陈述。 |
| 根据《反补贴条例》第二十条的规定，2012年8月6日，调查机关收到申请人提交的《关于召开太阳能级多晶硅反倾销、反补贴案申请人意见陈述会的申请》。调查机关于2012年8月6日发出《关于召开太阳能级多晶硅反倾销及反补贴案申请人意见陈述会的通知》（商调查（三处）函[2012]300号）。2012年8月10日，调查机关召开对美国的太阳能级多晶硅反补贴案申请人意见陈述会，听取了申请人陈述提起申请的主要理由及对本案产业损害调查的相关问题的陈述，收到了本案申请人提交的陈述材料。 |
| 2012年12月27日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提出了拜访请求。根据《反补贴条例》第二十条的规定，调查机关于2013年1月10日接待上述利害关系方，听取其意见陈述，收到了其提交的《产业损害调查局面谈纲要》。 |
| 6.接收利害关系方书面意见。 |
| 2012年8月8日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了《对进口太阳能级多晶硅反倾销调查和反补贴调查立案公告中被调查产品范围的评论意见》。 |
| 2012年8月8日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交了《关于：对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅的反倾销/反补贴调查被调查产品范围和申请书的评论》。 |
| 2012年10月11日，HOKU公司向调查机关提交了《HOKU 公司关于调查期间无对中国出口的说明》。 |
| 2012年10月11日，MEMC电子材料公司向调查机关提交了《关于太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查问卷答卷主体的说明》。 |
| 2012年11月9日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案调查无损害抗辩》。 |
| 2013年1月23日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交了《进口太阳能级多晶硅反倾销和反补贴调查无损害抗辩意见书》。 |
| 2013年1月29日，申请人向调查机关提交了《对Hemlock公司＜进口太阳能级多晶硅反倾销反补贴案无损害抗辩＞的评论意见》。 |
| 2013年2月7日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了《进口太阳能级多晶硅反倾销反补贴案无损害抗辩》。 |
| 2013年2月27日，申请人向调查机关提交了《对REC＜提请召开太阳能级多晶硅反倾销/反补贴调查产品范围听证会的申请书＞的评论》。 |
| 2013年3月6日，常州亿晶光电科技有限公司向调查机关提交了《关于对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅的反倾销和反补贴调查的评论》。 |
| 7.初裁前实地核查。 |
| 根据《反补贴条例》第二十条和《反补贴产业损害调查规定》第二十七条的规定，2012年11月5日，调查机关发出了《关于太阳能级多晶硅反倾销和反补贴案初裁前实地核查的通知》（商调查函[2012]453号）。2013年1月，调查机关先后对国内生产者洛阳中硅高科技有限公司和大全新能源有限公司进行了初裁前实地核查。实地核查期间，调查机关对申请人提交的申请书及调查问卷答卷中的信息和企业生产经营状况进行了核查。核查结束后，申请人向调查机关提交了核查后补充材料。 |
| （四）延期公告。 |
| 2013年7月19日，根据《反补贴条例》第二十七条的规定，调查机关发布公告，决定将本案的调查期限延长六个月，即截止日期为2014年1月20日。 |
| （五）初裁决定及公告。 |
| 2013年9月16日，调查机关发布年度第63号公告，公布了本案初裁决定。初裁认定被调查产品存在补贴，中国国内太阳能级多晶硅产业受到了实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。公告决定自2013年9月20日起，中华人民共和国对被调查产品实施临时反补贴措施。自该日起，进口经营者在进口被调查产品时，应依据初裁决定所确定的各公司从价补贴率向中华人民共和国海关提供相应的临时反补贴税保证金。 |
| 公告当日，调查机关向美国驻中国大使馆、本案申请人和提交应诉答卷的公司提供初裁公告，并将公告登载在商务部网站上供各利害关系方和公众查阅。 |
| （六）初裁后对补贴及补贴金额的继续调查。 |
| 1.初裁后信息披露和证据搜集。 |
| 根据初裁公告的要求，各利害关系方在初步裁定发布之日起10天内可以就初步裁定向调查机关提出书面评论并附相关证据。同时，本案初裁后，调查机关向美国驻中国大使馆、REC太阳能级硅有限责任公司、REC先进硅材料有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司披露并说明了初步裁定中计算各公司从价补贴率时所依据的基本事实，并给予各利害关系方提出评论意见的机会。 |
| 2013年9月25日，赫姆洛克半导体公司提交对初步裁定的书面评论。2013年9月26日，美国瓦克化学公司、瓦克多晶硅北美有限公司提交对初步裁定的书面评论。2013年10月8日，美国驻中国大使馆提交对初步裁定和初裁披露的书面评论。调查机关在对各公司的最终裁定中对上述书面评论中的主张依法予以了考虑。 |
| 2.产品范围听证会。 |
| 应REC太阳能级硅有限责任公司等申请，2013年8月14日，调查机关发布《关于召开太阳能级多晶硅反倾销和反补贴案产品范围听证会的通知》，告知各利害关系方调查机关将于2013年8月30日召开本案产品范围听证会，各利害关系方可报名参加。 |
| 2013年8月26日，调查机关发布《关于召开太阳能级多晶硅反倾销和反补贴案产品范围听证会的进一步通知》，公布听证会会议议程、发言名单和报名参会名单等相关事宜。 |
| 2013年8月30日，调查机关举行太阳能级多晶硅反补贴案产品范围听证会。REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司、西安华晶电子技术股份有限公司、常州亿晶光电科技有限公司、国内申请人、中国有色金属工业协会、美国驻中国大使馆在听证会上陈述各自意见。会后，国内申请人和美国驻中国大使馆提交了书面发言材料。调查机关对上述陈述意见依法予以了考虑。 |
| 3.实地核查。 |
| 为进一步核实美国政府和各应诉公司提交材料的真实性、完整性和准确性，调查机关组成反补贴调查实地核查小组，于2013年10月17日至31日分别对美国能源部、财政部、密执安州经济发展局、密执安州财政部门、密执安州Thomas镇政府、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司、REC太阳能级硅有限责任公司进行了实地核查。 |
| 核查期间，美国联邦政府和密执安州政府相关部门的官员和被核查公司的财务人员、销售人员和管理人员接受了核查小组的询问，并根据要求提供了有关证明材料。核查小组核查了有关补贴项目的法律依据、管理部门和具体执行情况，以及被核查公司对补贴项目的使用情况等信息。对美国政府和被核查公司提交材料的完整性、真实性和准确性进行了核查，并进一步搜集了相关证据。 |
| 实地核查结束后，调查机关依据《反补贴调查实地核查暂行规则》第十九条的规定，向美国政府和被核查公司披露了实地核查记录。2013年12月12日，美国政府提交了《关于：原产于美国的进口太阳能级多晶硅反补贴调查/实地核查记录的评论意见》。 |
| 对实地核查中收集到的材料和信息以及实地核查后有关利害关系方就实地核查披露的评论意见，调查机关在最终裁定中依法予以了考虑。 |
| 4.最终裁定前信息披露。 |
| 本案终裁前，调查机关依据《反补贴条例》第二十六条的规定，向美国政府、REC太阳能级硅有限责任公司、REC先进硅材料有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司披露并说明了计算各公司从价补贴率时所依据的基本事实，并给予相关利害关系方提出评论意见的机会。在规定的时间内，调查机关未收到相关利害关系方对终裁披露的评论意见。 |
| 5.有关利害关系方发表的其他意见 |
| 2013年10月9日，赫姆洛克半导体公司提交《进口太阳能级多晶硅反补贴案微小更正清单》。 |
| 2013年11月12日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司代表与调查机关面谈（会见纪要见商务部公开信息查阅室）。 |
| （七）初裁后对损害及损害程度的继续调查。 |
| 1.召开产业损害调查听证会。 |
| 2013年1月23日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交了《关于提请召开太阳能级多晶硅反倾销/反补贴调查产业损害听证会的申请书》。2013年2月27日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了《关于提请召开进口多晶硅反倾销、反补贴调查产业损害听证会的申请书》。调查机关经研究，决定召开产业损害调查听证会，2013年8月9日，调查机关发出《商务部关于召开太阳能级多晶硅反倾销、反补贴案产业损害调查听证会的通知》（商调查三处函[2013]396号）。2013年8月28日，调查机关发出了《关于召开对原产于美国、韩国的太阳能级多晶硅反倾销、反补贴案产业损害调查听证会的补充通知》（商调查三处函[2013]445号）。2013年9月2日，调查机关召开了对原产于美国的太阳能级多晶硅反补贴案产业损害调查听证会，共计17家利害关系方参加了听证会。 |
| 听证会上，本案申请人、赫姆洛克半导体公司、REC太阳能级硅有限责任公司、REC先进硅材料有限责任公司、美国驻中国大使馆就国内产业认定、累积评估恰当性、国内产业是否受到实质损害、补贴和实质损害之间的因果关系等内容分别陈述了各自的意见。在听证会后规定的时间内，调查机关收到了申请人、赫姆洛克半导体公司、REC太阳能级硅有限责任公司、REC先进硅材料有限责任公司、美国驻中国大使馆提交的听证会发言的书面材料。利害关系方在听证会上提出的主张，调查机关予以了充分考虑。 |
| 2.终裁前实地核查。 |
| 根据《反补贴条例》第二十条和《反补贴产业损害调查规定》第二十七条的规定，2013年 9月9日，调查机关发出了《关于太阳能级多晶硅反倾销反补贴案终裁前实地核查的通知》（商调查三处函[2013] 480号）。2013年9月，调查机关对申请人江苏中能硅业科技发展有限公司进行了终裁前实地核查，对初裁后利害关系方提出的有关问题进行了查证和核实，并收集了相关证据材料。 |
| 3.召开上下游企业意见陈述会。 |
| 为了充分听取国内上下游企业对本案的意见，2013年 9月9日，调查机关发出了《关于召开对美国和韩国的太阳能级多晶硅反倾销反补贴案上下游企业意见陈述会的通知》（商调查三处函[2013] 481号）。2013年9月，调查机关召开了太阳能级多晶硅反倾销反补贴案上下游企业意见陈述会，听取了国内部分上下游企业的意见陈述。 |
| 4.信息公开及终裁前信息披露。 |
| 根据《产业损害调查信息查阅与信息披露规定》第八条、第十四条的规定，本案公开材料均已送交商务部贸易救济措施公开信息查阅室。各利害关系方可以查找、阅览、摘抄、复印公开信息。 |
| 根据《反补贴条例》第二十五条和《产业损害调查信息查阅与信息披露规定》的规定，调查机关向本案利害关系方披露了本案最终裁定所依据的基本事实，并给予其提出评论意见的机会。 |
| 2014年1月16日，美国驻华大使馆向调查机关提交了《美国政府关于原产于美国的太阳能级多晶硅反补贴调查产业损害最终决定的披露之评论意见》。 |
| 在最终裁定中，调查机关对利害关系方提交的材料、提出的评论和意见依法给予了充分考虑。 |
| 三、被调查产品和调查范围 |
| （一）被调查产品描述。 |
| 本案被调查产品范围及产品描述如下： |
| 调查范围：原产于美国的进口太阳能级多晶硅。 |
| 被调查产品名称：太阳能级多晶硅。英文名称：Solar-Grade Polysilicon。 |
| 被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的，用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。 |
| 被调查产品电学参数为：基磷电阻率＜300欧姆·厘米（Ω ·cm）；基硼电阻率＜2600欧姆·厘米（Ω ·cm）；碳浓度＞1.0×1016（at/cm3）；n型少数载流子寿命＜500μs；施主杂质浓度＞0.3×10-9；受主杂质浓度＞0.083×10-9 。 |
| 主要用途：主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产，是生产晶体硅光伏电池的主要原料。 |
| 该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。 |
| （二）关于流化床法产品排除问题。 |
| REC太阳能级硅有限责任公司在答卷中主张，其采用西门子法和流化床法两种工艺生产太阳能级多晶硅，采用流化床法生产的太阳能级多晶硅和采用西门子法生产的太阳能级多晶硅在物理和化学特性、生产流程和工艺、用途、生产成本四个方面存在重大差异，流化床法产品不属于被调查产品。 |
| 申请人在2012年12月10日提交的评论认为，本次反补贴调查的被调查产品只有一个，即“太阳能级多晶硅”，现有被调查产品范围含了“流化床法产品”在内的各种工艺、各种形状的太阳能级多晶硅、国产太阳能级多晶硅与进口太阳能级多晶硅是同类产品（公开版本见商务部公开信息查阅室）。 |
| 初裁时，调查机关暂认为，反补贴立案公告和随后的调查问卷中对被调查产品及相似产品做了明确规定，即本次反补贴被调查产品为太阳能级多晶硅，流化床法、硅烷法以及西门子法生产的太阳能级多晶硅均包含在被调查产品范围之内，初步调查表明，流化床法、硅烷法以及西门子法制造的太阳能级多晶硅的用户相同、用途相同、产品的质量和特性相同或相近，相互之间存在着竞争和替代关系，因此，无论哪种方法生产的原产自美国的太阳能级多晶硅，只要其物理、化学指标、用途等符合被调查产品的描述，均属于被调查产品。初裁后，REC太阳能级硅有限责任公司提交对初步裁定的评论，重申答卷中的主张。 |
| 应REC太阳能级硅有限责任公司和部分下游用户申请，初裁后，调查机关召开了产品范围听证会。 |
| REC太阳能级硅有限责任公司在听证会上主张，流化床法产品和西门子法产品存在明显的物理特性差异，流化床法产品是球形的细颗粒，西门子法产品的碎料无法替代；用户认知存在差异，流化床法产品只是西门子法产品的一种添加和附加，不是替代产品；流化床法产品和西门子法产品的生产流程和工艺存在很大区别；流化床法产品的成本远低于西门子法产品的成本。鉴此，公司认为流化床法产品应排除在本次调查之外。 |
| 两家下游用户在听证会上主张，流化床法产品和西门子法产品的生产过程不同、原料不同、产品形态不同；流化床法产品的流动性可提高下游生产效率，降低成本；流化床法产品具有不可替代性；流化床法产品能耗少，符合国家绿色环保的理念；国内多晶硅企业无法生产流化床法产品。 |
| 国内申请人在听证会上表示，流化床法产品并非不可替代，下游中只有很小比例的企业掺杂使用流化床法产品，大多数完全使用西门子法产品，流化床法产品的“填缝”功能在下游实际生产过程中无实际意义，反而存在明显劣势；流化床法产品不是西门子法产品的附加，下游企业在生产中使用的流化床法产品实际上替代了西门子法产品；生产工艺或生产成本的异同不是判断同类产品的标准。 |
| 中国有色金属工业协会在听证会上主张，流化床法产品和西门子法产品的物理特征和化学特性相同、原材料和生产方式相同、产品的应用和销售渠道及客户群体相同、包装方式相同、质量评判标准相同。 |
| 美国驻中国大使馆在听证会上主张，调查机关在初步裁定中没有就如何分析涉案企业提交的辩论和证据进行详细解释，希在终裁前通知有关利害关系方关于产品范围裁定及其推证的详细解释。 |
| 在听取各利害关系方意见的基础上，经调查，调查机关认为，（1）REC太阳能级硅有限责任公司关于采用流化床法生产的产品应该排除在被调查产品之外的主张不成立，因为在本案中，其主张的形状不同、工艺不同、成本差异、认知度不同、是否相互替代等因素并不是界定某一产品是否属于被调查产品的因素。对于某一产品是否属于被调查产品的唯一认定标准是调查机关在立案公告或问卷中对于被调查产品的界定，凡符合该界定所描述的产品均应属于被调查产品；（2）在本案中被调查产品的描述、电学参数、用途、海关税则等是确定某一产品是否属于被调查产品的主要标准，无论哪种方法生产的太阳能级多晶硅，如果最终产品的描述、电学参数、用途、海关税则等符合被调查产品界定，则属于太阳能级多晶硅，因此，生产工艺不同并不是认定被调查产品的标准；（3）无论哪种方法生产的产品，如果不符合立案公告和问卷中关于被调查产品的界定，均不属于被调查产品。（4）从调查结果看，没有利害关系方主张，流化床法生产的太阳能级多晶硅不符合立案公告和调查问卷中的关于产品描述、电学参数、用途、海关税则的界定。因此，调查机关决定维持初裁的认定，即REC太阳能级硅有限责任公司采用流化床法生产的太阳能级多晶硅属于被调查产品。 |
| 四、国内同类产品和国内产业 |
| （一）国内同类产品的认定。 |
| 根据《反补贴条例》第十二条和《反补贴产业损害调查规定》第十条、十一条关于同类产品认定的规定，调查机关对国内生产的太阳能级多晶硅与被调查产品的物理特征、化学性能、制造工艺、生产设备和原料、用途、销售渠道、客户及群体评价和产品可替代性、价格等因素进行了考察，调查证据显示： |
| 1.物理特征和化学性能。调查机关在实地核查中收集了国内生产的太阳能级多晶硅质量检验相关证据，并将其与利害关系方提交的《国外＜地区＞生产者/出口商调查问卷答卷》中对被调查产品的描述进行了比较，结果显示，国内生产的太阳能级多晶硅与被调查产品外观基本一样，均为银灰色棒状、块状或颗粒状的固体，不溶于水，无气味，熔点为1410℃，分子量为28。其基磷电阻率、基硼电阻率、碳浓度、n型少数载流子寿命等电学参数与被调查产品相同，因此，调查机关认定，国内生产的太阳能级多晶硅与被调查产品的物理特征和化学性能基本相同。 |
| 2.制造工艺、生产设备和原料。《国内生产者调查问卷答卷》和《国外＜地区＞生产者/出口商调查问卷答卷》中的相关陈述以及实地核查中收集的证据表明，被调查产品与国内生产的太阳能级多晶硅的生产工艺基本一致，均以西门子法、硅烷法为主，主要由氢化、合成、提纯、还原等步骤组成。 |
| 被调查产品与国内生产的太阳能级多晶硅的生产设备基本相同，均由氢化器、提纯炉、还原器等主要设备构成。 |
| 被调查产品与国内生产的太阳能级多晶硅的生产原料均为硅粉或氯硅烷、氢气、液氯等。 |
| REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司提出[1]：该公司采用流化床法工艺生产的颗粒状多晶硅产品（“流化床法颗粒状多晶硅”）在物理和化学特性、生产流程和工艺、用途和用户认知、销售价格等方面均不同于中国国内产业生产的产品。流化床法颗粒状多晶硅并非西门子法产品的替代物，前者只是后者的一种补充或添加产品。 |
| 对此，申请人提出[2]：首先，本案只有一个被调查产品--太阳能级多晶硅，将太阳能级多晶硅按照生产工艺人为分割为“西门子法多晶硅”、“硅烷法多晶硅”、“流化床法多晶硅”，这种主张与多晶硅产业的实际情况不符。其次，申请书和立案公告中对被调查产品范围的描述均为“以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品”，此范围包含了各种生产工艺和形状的多晶硅。所谓的“流化床法”其实是硅烷法的一种类型。西门子法和硅烷法是两个平行的概念，均以硅粉和氢为主要原料，只是前者以三氯氢硅为中间产物，后者以硅烷为中间产物。不论是以三氯氢硅还是以硅烷为中间产物，都既可以通过还原炉分解沉积，也可以通过流化床分解沉积。REC公司选择的是“硅烷＋流化床”的组合，仍然属于硅烷法。第三，“流化床法产品”与国产“西门子法产品”的物理和化学特性、用途没有实质差异，只是铸锭时先将块状“西门子法产品”放在坩埚内，然后用颗粒状的“流化床法产品”填充空隙，受热融合后形成硅锭再用来生产硅片。 |
| 调查机关注意到了上述利害关系方的主张，并进行了相应调查，根据《国内生产者调查问卷答卷》和《国外＜地区＞生产者/出口商调查问卷答卷》中产品描述和到申请企业现场了解，调查机关了解到，第一，流化床法与西门子法的原料相同，均为硅粉和氢；第二，流化床法生产的颗粒状多晶硅产品与西门子法生产的多晶硅产品用途相同，均在熔化铸锭后再生产单晶硅和硅片；第三，流化床法生产的颗粒状多晶硅产品与西门子法生产的多晶硅产品适用的质量标准、考核指标相同；第四，流化床法只是在最终产品产出时使用的设备为流化床，产出物为颗粒状，它仍然属于硅烷法的一种，正如REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司所承认的[3]，其生产时使用“硅烷的流化床法”；第五，流化床法产品颗粒较小，与西门子法生产的多晶硅产品破碎后产生的硅料较为相近，二者基本可以相互替代。因此，调查机关认为，流化床法生产的颗粒状多晶硅产品与西门子法生产的多晶硅产品不存在实质性差异。 |
| 3.用途。调查机关认定，被调查产品与国内生产的太阳能级多晶硅产品的用途相同，均用来制造太阳能级单晶硅棒或定向凝固多晶硅锭。 |
| 4.销售渠道。《国内生产者调查问卷答卷》和《国外＜地区＞生产者/出口商调查问卷答卷》中的相关陈述和实地核查中收集的客户名单显示，国内生产的太阳能级多晶硅产品与被调查产品销售渠道均以直接销售给终端用户为主。 |
| 5.客户及群体评价和可替代性。调查机关根据实地核查中收集到的客户满意度证明和客户名单等证据和《国内进口商调查问卷答卷》中提供的客户信息，认定国内生产的太阳能级多晶硅产品与被调查产品的客户群体有重合，部分下游用户同时使用国内生产的太阳能级多晶硅产品和被调查产品，二者间存在替代关系。 |
| 赫姆洛克半导体公司提出[4]：国内同类产品与进口被调查产品在产品品质和质量稳定性方面存在较大差距，与进口被调查产品相比，中国国内企业生产和销售的多晶硅产品的纯度较差，且质量不均匀。 |
| 对此，调查机关对实地核查中收集到的申请人内部质检报告和信息产业专用材料质量监督检验中心等第三方出具的检验报告等证据进行了分析，调查显示，申请人生产的太阳能级多晶硅产品质量符合国家标准GB/T25074-2010的要求，其中绝大多数产品达到或超过了国家标准GB/T25074-2010中一级品或二级品的要求，一部分产品甚至达到了电子级多晶硅产品的质量标准。调查机关将国家标准GB/T25074-2010与国际通行的标准SEMI进行了比较，国家标准与国际标准SEMI基本一致，部分指标甚至严于SEMI。调查机关也比较了《国外＜地区＞生产者/出口商调查问卷答卷》中提供的企业标准与本案申请人的企业标准，二者的关键指标基本一致，其他指标则互有高低。调查机关认定，被调查产品与本案申请人生产的太阳能级多晶硅产品生产中适用的标准基本相同，其品质并无实质差异，上述利害关系方的主张不符合实际情况。 |
| 6.价格。调查机关通过实地核查中获得的证据与中国海关统计数据比较后认定，调查期内，国内产品价格总体变化趋势与被调查产品进口价格变化趋势基本一致。 |
| 调查机关通过分析后认为，国内产业产品与被调查产品的物理特征和化学性能、制造工艺、生产设备和原料、用途、销售渠道、客户及群体评价基本相同，具有相似性和可比性，可以相互替代，价格总体变化趋势基本一致。因此，调查机关认定，国内生产的太阳能级多晶硅与被调查产品属于同类产品。 |
| （二）国内产业的认定。 |
根据《反补贴条例》第十一条和《反补贴产业损害调查规定》第十三条规定，调查机关对本案国内产业进行了审查和认定。本案立案公告告知各利害关系方可向调查机关登记参加产业损害调查活动，并告知《参加太阳能级多晶硅产品反补贴案产业损害调查活动申请表》可在“中国贸易救济信息网”下载，调查机关还向已知利害关系方寄出了产业损害调查问卷。本案调查中，除申请人外，没有其他国内生产者参加产业损害调查活动并提交《国内生产者调查问卷答卷》。证据显示，本案调查期内，提交《国内生产者调查问卷答卷》企业生产的国内同类产品占国内同类产品总产量的比例分别为2008年63.26%、2009年54.87%、2010年65.97%、2011年61.86%、2012年1-6月78.62%，符合《反补贴条例》第十一条和《反补贴产业损害调查规定》第十三条关于国内产业认定的规定。因此，调查机关认定，提交《国内生产者调查问卷答卷》的国内生产者江苏中能硅业科技发展有限公司、江西赛维LDK光伏硅科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司和大全新能源有限公司构成本案调查的国内产业。本裁决所依据的国内产业数据，除特别说明外，均来自以上特定的国内生产者。
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